Samsung extinde productia primului card de memorie vertical NAND


V-NAND 01

Samsung Electronics Co, Ltd., liderul mondial in tehnologii de memorie avansate, a anuntat extinderea productiei pentru cardurile de memorie tridimensionale (3D) verticale NAND (V-NAND), care depasesc limita de scalare pentru tehnologia flash NAND deja existenta. Oferind performanta de neegalat si dimensiuni reduse, noile carduri de memorie 3D V-NAND vor fi utilizate pentru o gama larga de dispozitive, precum unitatile de stocare NAND si SSD-uri.

 

Noul Samsung V-NAND ofera o densitate de 128 gigabiti (Gb) intr-un singur cip, folosind structura verticala de celule bazata pe tehnologia 3D Charge Trap Flash (CTF), tehnologie dezvoltata in premiera de Samsung, alaturi de tehnologia interconectarii pe verticala pentru celulele 3D. Prin aplicarea acestor doua tehnologii, noile carduri de memorie 3D V-NAND de la Samsung ofera de doua ori scalarea cardului NAND din clasa * 20nm plana.V-NAND 02

 

“Noua tehnologie a cardului 3D V-NAND este rezultatul dedicarii angajatilor pentru a dezvolta solutii inovatoare in domeniul tehnologiei de semiconductoare de memorie”, a declarat Jeong-Hyuk Choi, senior Vice President, flash product & technology, in cadrul Samsung Electronics. “In urma extinderii procesului de productie in masa pentru cardurile 3D Vertical NAND, vom continua sa introducem mereu noi 3D V-NAND cu performante imbunatatite si cu densitate mai mare. Astfel, vom contribui la dezvoltarea industriei cardurilor de memorie la nivel mondial.”

 

In ultimii 40 de ani, cardurile de memorie conventionale au avut la baza structuri plane. Pe masura ce tehnologia procesului de fabricatie a mers la clasa 10nm*, a aparut preocuparea pentru o limita de scalare, din cauza interferentelor celula-la-celula care genereaza un compromis in fiabilitatea produselor NAND. Acest lucru a condus la prelungirea timpului de dezvoltare si cresterea costurilor.

 

Noul V-NAND de la Samsung rezolva astfel de probleme tehnice prin inovatii la nivel de structura a circuitelor si proceselor de fabricatie. Pentru a face acest lucru, Samsung a restructurat arhitectura CTF, care a fost dezvoltata pentru prima data in 2006. In arhitectura cardului NAND bazat pe CTF de la Samsung, o sarcina electrica este plasata temporar intr-o camera a stratului de non-conductoare a cardului, care este compusa din nitrura de siliciu (SIN), in loc de a folosi o poarta plutitoare pentru a preveni interferentele intre celulele vecine.

 

Prin realizarea acestui strat CTF trei-dimensional, fiabilitatea si viteza de memorie NAND s-au imbunatatit semnificativ. Noul 3D V-NAND prezinta nu numai o crestere a unui minim de 2X la un maxim de 10X a fiabilitatii, ci, de asemenea, performanta de scriere de doua ori peste cea conventionala a cardului de memorie NAND din clasa 10nm.

 

De asemenea, una dintre cele mai importante realizari tehnologice ale noului card Samsung V-NAND este tehnologia procesului de interconectare pe verticala ce poate stoca pâna la 24 de straturi de celule pe verticala, folosind o tehnologie speciala de gravura care conecteaza electronic straturile prin stantarea unor gauri de la cel mai inalt strat pâna la cel de jos. Cu noua structura verticala, Samsung poate permite o densitate mai mare a cardului de memorie NAND prin cresterea numarului de straturi celulare 3D fara a fi nevoie sa se continue scalarea plana.

 

Dupa aproape 10 ani de cercetare a tehnologiei 3D Vertical NAND, Samsung are acum mai mult de 300 de tehnologii patentate de memorie 3D la nivel mondial. Cu primul card de memorie 3D vertical NAND din industrie, complet functional, Samsung si-a consolidat pozitia de lider pe segmentul cardurilor de memorie, stabilind un nou standard pentru piata.

 

Potrivit IHS iSuppli, piata mondiala a cardurilor de memorie NAND va ajunge la aproximativ 30.8 miliarde dolari (US), pâna la sfârsitul anului 2016, de la aproximativ 23.6 miliarde dolari (US) in 2013, cu o crestere anuala de 11 la suta, conducând cresterea intregii industrii a cardurilor de memorie

Leave a Reply

Fill in your details below or click an icon to log in:

WordPress.com Logo

You are commenting using your WordPress.com account. Log Out /  Change )

Google photo

You are commenting using your Google account. Log Out /  Change )

Twitter picture

You are commenting using your Twitter account. Log Out /  Change )

Facebook photo

You are commenting using your Facebook account. Log Out /  Change )

Connecting to %s

This site uses Akismet to reduce spam. Learn how your comment data is processed.