Samsung Electronics Co, Ltd., liderul mondial in tehnologii de memorie avansate, a anuntat extinderea productiei pentru cardurile de memorie tridimensionale (3D) verticale NAND (V-NAND), care depasesc limita de scalare pentru tehnologia flash NAND deja existenta. Oferind performanta de neegalat si dimensiuni reduse, noile carduri de memorie 3D V-NAND vor fi utilizate pentru o gama larga de dispozitive, precum unitatile de stocare NAND si SSD-uri.

Noul Samsung V-NAND ofera o densitate de 128 gigabiti (Gb) intr-un singur cip, folosind structura verticala de celule bazata pe tehnologia 3D Charge Trap Flash (CTF), tehnologie dezvoltata in premiera de Samsung, alaturi de tehnologia interconectarii pe verticala pentru celulele 3D. Prin aplicarea acestor doua tehnologii, noile carduri de memorie 3D V-NAND de la Samsung ofera de doua ori scalarea cardului NAND din clasa * 20nm plana. Continue reading →